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長鑫存儲公布新路線圖:已開始生產19nm計算機存儲器

時間:2019-12-04 11:24來源:cnBeta作者:xuji 點擊:
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摘要:長鑫存儲技術有限公司(CXMT)已經開始生產基于 19nm 工藝的計算機存儲器,且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖,計劃在未來生產各種類型的動態隨機存儲器(DRAM)。為了提升產量,長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國制造 2025 項目的一部分,其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。 目前長鑫存儲的月產能約為 2 萬片晶圓,但隨著該公司訂單量的增長,

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長鑫存儲技術有限公司(CXMT)已經開始生產基于 19nm 工藝的計算機存儲器,且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖,計劃在未來生產各種類型的動態隨機存儲器(DRAM)。為了提升產量,長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國制造 2025 項目的一部分,其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。

目前長鑫存儲的月產能約為 2 萬片晶圓,但隨著該公司訂單量的增長,產量也將逐漸提升。預計到 2020 年底,其 10nm 級工藝技術的產能為 12 萬片晶圓(12 英寸),媲美 SK 海力士在中國無錫的工廠。

CXMT 正在使用其 10G1 技術(19 nm 工藝)來制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存儲器芯片,目標在 2020 年第一季度將其商業化并投放市場,該技術將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲器。

從路線圖來看,CXMT 還規劃了針對 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3(17 nm 工藝)產品。盡管目前尚無法撼動業內老牌競爭對手,但該公司相當重視創新工藝的研發和產能的擴張。

預計 CXMT 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術,并在遠期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻(EUVL)工藝。

盡管該公司計劃于 2019 年初開始生產 DDR4 內存,但新路線圖已經推遲了一年。最后,該公司還計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。

【光粒網綜合報道】( 責任編輯:xuji )
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